Авторизация
Lost your password? Please enter your email address. You will receive a link and will create a new password via email.
После регистрации вы можете задавать вопросы и отвечать на них, зарабатывая деньги. Ознакомьтесь с правилами, будем рады видеть вас в числе наших авторов!
Вы должны войти или зарегистрироваться, чтобы добавить ответ.
Тайминги на оперативной памяти DDR4 определяют задержку между различными операциями памяти, такими как чтение, запись и обновление данных. Они измеряются в тактовых циклах и включают следующие параметры:
1. CAS Latency (CL) — это время задержки между командой чтения и началом передачи данных. Например, CL16 означает, что задержка составляет 16 тактовых циклов.
2. RAS to CAS Delay (tRCD) — это время задержки между активацией строки и началом операции чтения/записи. Например, tRCD 18 означает, что задержка составляет 18 тактовых циклов.
3. RAS Precharge Time (tRP) — это время задержки между операцией чтения/записи и предварительным сбросом активной строки. Например, tRP 24 означает, что задержка составляет 24 тактовых цикла.
4. Active to Precharge Time (tRAS) — это время задержки между активацией строки и предварительным сбросом. Например, tRAS 36 означает, что задержка составляет 36 тактовых циклов.
5. Command Rate (CR) — это время задержки между командами памяти. Он может быть 1T или 2T, где 1T означает один тактовый цикл, а 2T — два тактовых цикла.
Эти тайминги влияют на производительность оперативной памяти. Обычно меньшие значения таймингов означают более быструю память, но они также зависят от других факторов, таких как тактовая частота и качество модулей памяти.